等離子刻蝕中影響氮化硅側(cè)壁蝕刻傾斜度的參數(shù)有哪些？
文章導(dǎo)讀：在晶圓制造領(lǐng)域，使用等離子刻蝕不僅可以“吃掉”上層的光刻膠，也可以“吃掉”氮化硅薄膜， 形成一定的側(cè)壁蝕刻傾斜度。
等離子表面處理系統(tǒng)能夠完成表面清洗、活化、刻蝕以及涂鍍等諸多功能，依據(jù)所需處理的材料與處理的目的，等離子表面處理系統(tǒng)能夠完成不同的處理效果。等離子表面處理設(shè)備在半導(dǎo)體方向的使用有等離子刻蝕、顯影、去膠、封裝等。
等離子刻蝕工藝在半導(dǎo)體集成電路中，既能夠刻蝕上表層的光刻膠，也能夠刻蝕基層的氮化硅層，不僅如此還需要防止其對(duì)硅襯底造成刻蝕損害，從而造成器件暗電流增大，影響產(chǎn)品良率，為達(dá)到這諸多條件的工藝要求。等離子刻蝕工藝能夠通過對(duì)真空等離子表面處理設(shè)備的部分參數(shù)調(diào)整，形成一些氮化硅層的特殊形貌，即側(cè)壁蝕刻傾斜度。
側(cè)壁蝕刻傾斜度的優(yōu)勢(shì)在于，當(dāng)具有一定程度的傾斜度時(shí)，可以有效降低金屬鍍膜層在階梯覆蓋時(shí)出現(xiàn)斷裂的幾率，以及改善集成電路中工藝金屬線路內(nèi)部斷裂的問題。如下所示是氮化硅側(cè)壁垂直和具有一定程度的傾斜度的示意圖：
通過多次的變量測(cè)試和實(shí)驗(yàn)，我們可以通過真空度、等離子發(fā)生器的功率、CF4流量、O2流量、氣體流量比、腔內(nèi)壓強(qiáng)以及處理時(shí)間等不同變量的研究，能夠找到一個(gè)適合的氮化硅層側(cè)壁刻蝕傾角。
普樂斯電子9年專注研制等離子清洗機(jī),等離子表面處理設(shè)備,已通過ISO9001質(zhì)量體系和歐盟CE認(rèn)證,為電子、半導(dǎo)體、汽車、yi療等領(lǐng)域的客戶提供清洗,活化,刻蝕,涂覆的等離子表面處理解決方案。如果您想要了解更多關(guān)于產(chǎn)品的詳細(xì)內(nèi)容或在設(shè)備使用中有疑問，歡迎點(diǎn)擊普樂斯的在線客服進(jìn)行咨詢，或者直接撥打全國統(tǒng)一服務(wù)熱線400-816-9009，普樂斯恭候您的來電！
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